石墨烯晶體管的開關頻率提高了1000倍

石墨烯晶體(ti) 管的開關(guan) 頻率提高了1000倍
來源：百度贴吧雷竞技 發布時間：2018-12-08 點擊次數：611


美國科學家開發了一種使用石墨烯的晶體(ti) 管，這是世界上最薄的材料。根據美國物理學家組織網絡2月9日（北京時間）的報道，這種新型晶體(ti) 管具有創紀錄的開關(guan) 性能，並且已經將開關(guan) 頻率提高了1000多倍，使其廣泛用於(yu) 未來的電子設備和計算機中。功能強，性能好。

美國南安普頓大學納米研究小組的Zakaria Mokatad博士將石墨烯設置為(wei) 二維蜂窩結構，並開發了具有獨特管線結構的石墨烯場效應晶體(ti) 管（GFET）。相關(guan) 研究發表在《電子快報》雜誌上。

Mokatad說，矽互補金屬氧化物半導體(ti) （CMOS）的尺寸正在縮小並接近極限，因此有必要尋找合適的替代物。在電子領域，石墨烯有望取代矽，至少與(yu) 矽集成，但石墨烯固有的物理性質使得切斷電流變得困難。納米研究小組主任Hiros Mizuta說：世界上許多科學家正在努力工作。d用來切斷GFET的管道，但是目前的方法要麽(me) 要求管道的寬度小於(yu) 10納米，要麽(me) 要求在雙層石墨烯層上垂直施加超高壓，這使得使用這些方法成為(wei) 可能。滿足實際應用的要求。

Mokatad的研究發現，通過在雙層石墨烯納米線中引入幾何形狀（如彎頭和拐角）可以有效地切斷電流。Mizuta說，Mokatad開發的晶體(ti) 管將開關(guan) 頻率提高了1000多倍。

哈維·魯特是這所大學電子和計算機科學係主任，他說：這是一個(ge) 重大突破，對於(yu) 下一代計算機、通信和電子設備的發展具有重要意義(yi) 。通過這樣做，我們(men) 可以超越現有的CMOS技術，開發出更先進的晶體(ti) 管。在石墨烯管中引入幾何形狀是一個(ge) 新想法。該方法使GFET結構簡單，性能優(you) 良。因此，很容易實現商業(ye) 化生產(chan) 。

Mokatad現在正在進行進一步的研究以理解電流停止在石墨烯晶體(ti) 管管中流動的機製。

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