取代石墨烯 輝鉬柔性芯片誕生

取代石墨烯 輝鉬柔性芯片誕生

轉自美國知名科技網站CNET最新報道，美國加州納米技術研究院(簡稱CNSI)成功使用MoS2(輝鉬，二硫化鉬)製造出了輝鉬基柔性微處理芯片，這個(ge) MoS2為(wei) 基礎的微芯片隻有同等矽基芯片的20%大小，功耗極低，輝鉬製成的晶體(ti) 管在待機情況下的功耗為(wei) 矽晶體(ti) 管的十萬(wan) 分之一，而且比同等尺寸的石墨烯電路更加廉價(jia) ！而最大的變化是其電路有很強的柔性，極薄，可以附著在人體(ti) 皮膚之上。
　　2011年瑞士聯邦理工學院洛桑分校(EPFL)科學家製造出全球第一個(ge) 輝鉬礦微晶片(上麵有更小且更節能的電晶體(ti) )輝鉬是未來取代矽基芯片強力競爭(zheng) 者！領導研究的安德拉斯·基什教授表示，輝鉬是良好的下一代半導體(ti) 材料，在製造超小型晶體(ti) 管、發光二極管和太陽能電池方麵具有很廣闊的前景秀，而這次美國加州納米技術研究院製成的輝鉬基柔性微處理芯片未來前景將更加廣泛。

　　同矽和石墨烯相比，輝鉬的優(you) 勢之一是體(ti) 積更小，輝鉬單分子層是二維的，而矽是一種三維材料。在一張0.65納米厚的輝鉬薄膜上，電子運動和在兩(liang) 納米厚的矽薄膜上一樣容易，輝鉬礦是可以被加工到隻有3 個(ge) 原子厚的！

　　輝鉬所具有的機械特性也使得它受到關(guan) 注，有可能成為(wei) 一種用於(yu) 彈性電子裝置(例如最近出現在彈性薄層晶片設計中的那種)中的材料。 可以用在製造可卷曲的電腦或是能夠貼在皮膚上的裝置。甚至可以植入人體(ti) 。

　　英國《自然·納米技術》雜誌就指出：單層的輝鉬材料顯示出良好的半導體(ti) 特性，有些性能超過現在廣泛使用的矽和研究熱門石墨烯，可望成為(wei) 下一代半導體(ti) 材料。