石墨盤定製

    GaN材料的研究與(yu) 應用是目前全球半導體(ti) 研究的前沿和熱點，是研製微電子器件、光電子器件的新型半導體(ti) 材料。GaN材料的製備主要采用氣相外延生長的方法，石墨盤是外延生長GaN晶體(ti) 的必備耗材。由於(yu) 石墨材料在高溫、腐蝕性氣體(ti) 環境下會(hui) 發生腐蝕掉粉現象，從(cong) 而將粉體(ti) 雜質引入到單晶材料中。因此，塗覆高純度、均勻致密的保護塗層是解決(jue) 該問題的唯一方法。經化學氣相沉積碳化矽塗層後的石墨盤具有耐高溫、抗氧化、純度高、耐酸堿鹽及有機試劑等特性，滿足高純度單晶生長環境的需要，國外已將其作為(wei) 一種新耗材在MOCVD外延生長設備上大規模使用，但國內(nei) 還沒有這一相關(guan) 的產(chan) 品。

      國防科技大學從(cong) 2000年開始，一直致力於(yu) 化學氣相沉積碳化矽塗層製備技術應用研究，突破了碳化矽塗層製備的各項關(guan) 鍵技術，具備了大尺寸（直徑700mm）碳化矽塗層製備能力，獲得國家發明專(zhuan) 利授權1項。本實驗室製備的碳化矽塗層的特點是：（1）高溫抗氧化：溫度高達1600℃時抗氧化性能仍然非常好；（2）純度高、均勻、致密、顆粒細、無缺陷；（3）耐衝(chong) 刷；（4）抗腐蝕性：耐酸、堿、鹽及有機試劑。該技術在石墨盤方麵具有很好的推廣應用前景。

     碳化矽塗層石墨盤是各半導體(ti) 廠家必不可少的耗材，目前，該產(chan) 品全部依賴進口，價(jia) 格昂貴，且受製於(yu) 人。因此，本實驗室開發的碳化矽塗層石墨盤技術一旦實現產(chan) 業(ye) 化，將對我國的半導體(ti) 行業(ye) 具有重要的戰略意義(yi) 和市場經濟價(jia) 值。