石墨烯取向附生法—晶膜生長

取向附生法—晶膜生長

1、取向附生法是利用生長基質原子結構“種”出石墨烯，首先讓碳原子在 1 1 5 0 ℃下滲入釕，

2、然後冷卻，冷卻到850℃後,之前吸收的大量碳原子就會(hui) 浮到釕表麵，鏡片形狀的單層的碳原子“ 孤島” 布滿了整個(ge) 基質表麵，

3、最終它們(men) 可長成完整的一層石 墨烯。第一層覆蓋 8 0 ％後，第二層開始生長。

4、底層的石墨烯會(hui) 與(yu) 釕產(chan) 生強烈的交互作用，而第二層後就幾乎與(yu) 釕完全分離，隻剩下弱電耦合，得到的單層石墨烯薄片表現令人滿意。

5、但采用這種方法生產(chan) 的石墨烯薄片往往厚度不均勻，且石墨烯和基質之間的黏合會(hui) 影 響碳層的特性。

6、另外Peter W.Sutter 等使用的基質是稀有金屬釕。

石墨烯的合成方法主要有兩(liang) 種：機械方法和化學方法。

機械方法包括微機械分離法、取向附生法和加熱SiC的方法 ； 化學方法是化學還原法與(yu) 化學解理法。