石墨烯加熱 SiC法
發布時間：2021-07-22 14:53:54
石墨烯的合成方法主要有兩(liang) 種：機械方法和化學方法。
機械方法包括微機械分離法、取向附生法和加熱SiC的方法 ；
化學方法是化學還原法與(yu) 化學解理法。
該法是通過加熱單晶6H-SiC脫除Si，在單晶(0001) 麵上分解出石墨烯片層。
具體(ti) 過程是：將經氧氣或氫氣刻蝕處理得到的樣品在高真空下通過電子轟擊加熱，除去氧化物。
用俄歇電子能譜確定表麵的氧化物完全被移除後，將樣品加熱使之溫度升高至1250~1450℃後恒溫1min~20min，
從(cong) 而形成極薄的石墨層，經過幾年的探索，Berger等人已經能可控地製備出單層或是多層石墨烯。其厚度由加熱溫度決(jue) 定，製備大麵積具有單一厚度的石墨烯比較困難。